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本测试实验室提供专业的半导体特性评估，包括静态特性、动态特性和热特性。除提供建模测试数据和制作分立器件规格书外，我们还能完成一些特殊的测试项目，诸如TVS器件的S21、MOSFET器件的dv/dt和三极管的fT。鉴于各家客户的需求难以统一，我们会在充分评估项目的难度和工时后给出正式报价。
本测试实验室可提供的服务项目参见表一、表二和表三。
表一 二极管相关测试项目
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测试类别
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测试项目
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备 注
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参数
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符号
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电性能参数
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静态参数
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正向电压
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VF
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1. 可提供高低温（-40℃ 到200℃）测试结果
2. 可提供测试曲线或波形
3. DC类：Imax=400A、Vmax=3000V
4. AC类：Imax=1000A、Vmax=1200V
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反向漏电
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IR
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反向击穿电压
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V（BR）
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正向平均电流
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IF（AV）
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动态参数
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结电容
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CJ
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反向恢复时间相关参数
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Trr/Ta/Tb/S
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反向恢复峰值电流
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Irm
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反向恢复电荷
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Qrr
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电压变化率
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dv/dt
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热性能参数
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耗散功率
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PD
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结到环境热阻
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Rthj-a
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结到壳热阻
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Rthj-c
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根据封装不同，可能为j-l等
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其他特殊参数
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插入损耗
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S21
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箝位电压
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Vc
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8/20μs和10/1000μs
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动态电阻
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RDYN
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TLP测试
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单脉冲雪崩能量
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EAS
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表二 三极管相关测试项目
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测试类别
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测试项目
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备 注
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参数
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符号
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电性能参数
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静态参数
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各类击穿电压
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V(BR)CEO/V(BR)CBO/V(BR)EBO
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1. 可提供高低温（-40℃ 到200℃）测试结果
2. 可提供测试曲线或波形
3. DC类：Imax=400A、Vmax=3000V
4. AC类：Imax=1000A、Vmax=1200V
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各类漏电
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ICEO/ICBO/IEBO
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静态电流增益
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hFE
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基极-发射极导通电压
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VBE(on)
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各种饱和压降
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VBE（sat）/VCE(sat)
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动态参数
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各类电容
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Cobo/Cibo/Cre
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延迟时间
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Td
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上升时间
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Tr
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存储时间
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Ts
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下降时间
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Tf
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热性能参数
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耗散功率
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PD
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结到环境热阻
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Rthj-a
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结到壳热阻
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Rthj-c
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其他特殊参数
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增益带宽积(特征频率)
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fT
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插入功率增益
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︱S21e︱2
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噪声系数
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NF
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高频
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表三 MOSFET/IGBT相关测试项目
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测试类别
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测试项目
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备 注
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参数
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符号
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电性能参数
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静态参数
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各类击穿电压
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V(BR)DSS/V(BR)GSS
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1. 可提供高低温（-40到200℃）测试结果
2. 可提供测试曲线或波形
3. DC类：Imax=400A、Vmax=3000V
4. AC类：Imax=1000A、Vmax=1200V
5. 符号上IGBT和VDMOS之间的替换关系：
C（集电极）=D（漏极）；E（发射极）=S（源极）
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各类漏电
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IDSS/IGSS
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栅极阈值电压
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VGS（th）
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导通电阻
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RDS(on)
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饱和压降
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VCE(sat)
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二极管正向压降
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VSD/VF
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动态参数
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正向跨导
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Gfs
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栅极电阻
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Rg
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输入、输出、反向转移电容
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Ciss/Coss/Crss
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有效输出电容
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Coer/Cotr
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开关时间
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Td(on)/Tr/Td(off)/Tf
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导通损耗
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Eon/Eoff
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反向恢复时间相关参数
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Trr/Ta/Tb/S/Irrm/Qrr
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栅极电荷
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Qg/Qgs/Qgd
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短路电流、漏极脉冲电流
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Isc/IDM
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热性能参数
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耗散功率
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PD
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结到环境热阻
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Rthj-a
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结到壳热阻
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Rthj-c
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其他特殊参数
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单脉冲雪崩能量
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EAS
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说明：TO和SMD有夹具，其他封装需要制作配套夹具（费用另计）。
联系方式：
联系人：周女士
TEL：0571-86714088-6192
Email：zhoujun@silanic.com.cn
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